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松下電器が世界で初めて窒化ガリウムMMIC技術を用いた大電力スイッチICを開発

松下電器産業(本社:大阪府門真市)は、世界で初めて窒化ガリウム(GaN)系トランジスタの集積化に成功し、大電力スイッチICとして実現した。このICは、従来のGaAs系の限界であった4Wの通過可能電力を10倍の40Wに高め、大きさも従来品の40%に縮小。電力ロス削減による携帯機器の長時間動作化や受信系の感度向上、通信機器の小型化に貢献することが期待されている。
今回の成果は、0.2μmの微細なゲート長で100V以上の高耐圧の実現(大電力化)と、独自のシリコンドーピング技術による抵抗損失分の半減(低損失化)、100V以上の高耐圧化で20VのGaAsトランジスタ5段分を1段に単純化してチップサイズを2分の1以下にしたこと(小型化)、GaNで初めて複数トランジスタや抵抗素子などを1チップに集積したこと(MMIC化)で可能となった。